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申博娱乐官网E类射频功率放大器电路改进与设计

更新时间:2019-05-02 21:34

  越来越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的体积,而作为收发器中的最后一级,所消耗的功率在收发器中已占到了60%~90%,严重影响了系统的性能。所以,设计一种高效低谐波失真的功率

  笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器,其工作频率为1.8GHz,工作电压为1.5V,输出功率为26dBm,并具有高效率和低谐波失真的特点,适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。为了达到设计目标,该功率放大器采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和互补型交叉耦合反馈结构。

  E类功率放大器的特点是将晶体管作开关管,相对于传统的将晶体管用作电流源的A、B、AB类功率放大器,具有更高的附加功率效率(PAE,poweradded efficiency)。

  图1所示为理想E类功率放大器的原理图。其中,C为场效应管电容和外接电容之和,ron为场效应管处于线性区时的漏源电阻。

  当输入电压大于阈值电压时,场效应管工作在线性区,相当于开关闭合,由于漏源间电阻ron很小,因此VD近似为0;而当输入电压小于阈值电压时,场效应管截止,相当于开关断开,ID为0。此时,C开始充电,引起VD增加,调谐网络从VD中滤出基波,传输到负载电阻上。当开关再次闭合时,有VD=0和dVD/dt =0,从而使得场效应管上的电压和电流不同时出现,消除了由于充放电带来的(1/2)CV2的损耗,晶体管理想效率达到100%。

  除了高效率,E类功放还有一个优点就是功率可调节性,即在保证输出效率的同时能较大范围的调节输出功率。因为场效应管相当于开关,所以输入电压的幅值不会影响输出功率的大小。同样的,当场效应管处于三极管区时,漏源间的电阻ron上会有功率消耗PLOSS,这是E类功放的最主要功率损耗。由于PLOSS与VD2成正比,我们可以将漏极效率表示为:

  其中,C为常数。这样,通过调节电压保证一定的输出功率,E类功放就能保持较高效率。

  E类功放同样也具有不少的局限性。例如,因为VD比VDD大上三倍左右,所以在设计的时候就必须考虑到击穿电压的影响,这样会使得输出的功率范围有很大的局限性。此外,为了减少ron带来的损耗,必须尽可能地增大宽长比,但是晶体管的面积越大,就会造成栅极的电容越大,使得在输入端需要更小的电感来进行耦合,这会对输入端信号提出更高的要求,很难通过BiCMOS工艺精确实现。而且大的栅漏电容会引起输出端到输入端的强反馈,这导致了输入和输出之间的耦合。最后,单端输出电路每个周期都要向地或者硅衬底泄放一次大的电流,这可能会引起衬底耦合电流的频率和输入、输出信号的频率相同,从而在输出端产生了错误的信号。

  图2所示为两级差分结构的功率放大器,其中M5、M8为第一级差分结构功率放大器,负责对第二级功率放大器提供大的驱动电压;M1和M2组成第二级差分功率放大器,而M6、M7和M3、M4分别构成了一、二级的交叉耦合正反馈结构。

  图2所示的全差分结构能够解决衬底耦合的影响。由于在差分结构中,双端输出每个周期会向地泄放两次电流,由此使耦合电流的频率成为信号电流的两倍,这就消除了衬底耦合对信号的干扰。另外,在相同的电源电压下,当提供相同的输出功率时,全差分结构中流过每个开关管的电流要比单端输出小得多,所以在不增加开关损耗的前提下,可以使用尺寸更小的晶体管,从而减小对输入信号的要求。

  为了减小ron带来的损耗,并且提高开关速度,通常M1和M2的宽长比都会做得比较大,这样一来就会对输入端信号有更高的要求。

  图2所示的功率放大器采用了模式锁定技术,即LC振荡器结构,不仅进一步降低了开关管的尺寸,而且加快了开关的转换速度。申博娱乐官网,由M3、M4构成的振荡器中的交叉耦合部分,提供负阻来补偿电感L1、L2所引起的损耗,并对输入开关管引入正反馈。这样当LC振荡器工作在功率放大器的输入频率时,由于其输出端在M1和M2的漏极,会帮助输入开关管在尽可能短的时间完成“开”和“关”状态的变化,从而可以进一步减小输入开关管的尺寸。通过调节LC振荡器参数,使得输出端以输入频率发生振荡,从而加快开关管的开启和关闭速度,达到减小开关管宽长比的目的。

  此外,相对于采用单端口输出结构的功率放大器,图2所示的交叉耦合结构的功率放大器,在实际应用中会得到更低的总谐波失真(THD)。因为采用了全差分结构,在输出端口会大幅度的削弱偶次谐波,所以在输出谐波中奇次谐波占主要地位。

  本电路采用0.35μm SiGe BiCMOS的工艺进行仿真,因为SiGe晶体管具有较高的截止频率,符合工作频率在1.8GHz的要求。此外,它与CMOS工艺有很好的兼容性,可以实现高集成度的芯片。

  在Cadence上通过SpectreRF工具仿真后,得到输出功率和附加功率效率(PAE)随频率变化曲线GHz时,PAE达到最大值45.4%,漏极效率也达到最大值的66.2%,此时的输出功率为26dBm。

  图3 PAE和输出功率随频率变化曲线还可看出,偶次谐波在输出端中并不占主导地位,它被大大的削弱了,相比单端口功率放大器,该器件在谐波失真方面有较大的改善。当输入频率为1.8GHz,电源的输出电流如图5所示,通过计算可以得到电源的输出功率为595.5mW。图6所示为漏极电压VD经过调谐网络后保留下的基次波部分波形,由此可以计算得到负载(50Ω)上的功率为394mW。

  和特点 最大失调电压漂移:0.05μV/ºC 高电压工作:±18V 无需外部组件 最大失调电压:5μV 低噪声:1.5μVP-P (0.1Hz 至 10Hz) 最小电压增益:125dB 最小 CMRR:106dB 最小 PSRR:110dB 低电源电流:每个放大器 0.9mA 单电源工作:4.75V 至 36V 输入共模范围包括地电位 典型过载恢复时间:20ms 采用 8 引脚 N8 封装和 16 引脚 SW 封装 产品详情 LTC®1151 是一款高电压、高性能双通道零漂移运算放大器。其他斩波器放大器需要在外部为每个放大器采用两个采样及保持电容器,而该器件则实现了这些电容器的片内集成。另外,LTC1151 还运用了专有的高电压 CMOS 结构,从而允许在高达 36V 的总电源电压条件下工作。LTC1151 具有 0.5μV 的典型失调电压、0.01μV/ºC 的漂移、1.5μVP-P (0.1Hz 至 10Hz) 的输入噪声电压、和 140dB 的典型电压增益。该器件拥有 3V/μs 的转换速率和一个 2.5MHz 的增益-带宽乘积以及每个放大器 0.9mA 的电源电流。从正饱和及负饱和的过载恢复时间分别为 3ms 和 20ms。 LTC1151 采用标准的 8 引脚塑料 DIP 封装和 16 引脚宽体 SO 封装。LTC1151 与业界标准的双通道运放引脚兼容...

  和特点 输入共模范围包括两个电源轨 轨至轨输出摆幅 低输入失调电压:150μV 高共模抑制比:90dB 高 AVOL:1V/μV (驱动 10k 负载) 低输入偏置电流:10nA 宽电源范围:1.8V 至 ±15V 低电源电流:每个放大器为 375μA 高输出驱动:30mA 400kHz 增益带宽乘积 转换速率:0.13V/μs 可在容性负载高达 1000pF 的情况下保持稳定   产品详情 LT®1366/LT1367/LT1368/LT1369 是双通道和四通道双极运算放大器,它们实现了轨至轨输入和输出操作能力与精准规格的组合。这些运放可在一个 1.8V 至 36V 的电源范围内保持其特性。其操作规格针对 3V、5V 和 ±15V 电源而拟订。输入失调电压通常为 150μV,并在驱动一个 10k 负载时提供了一个数值为 1,000,000 的开环增益 AVOL。共模抑制在整个轨至轨输入范围内的典型值为 90dB,而电源抑制为 110dB。 LT1366/LT1367 采用传统的补偿功能电路,可在容性负载 ≤1000pF 的情况下确保稳定性。LT1368/LT1369 所采用的补偿功能电路需要一个 0.1μF 的输出电容器,这改善了放大器的电源抑制性能并减小了高频条件下的输出阻抗。输出电容器的滤波操作降低了高频噪声,这在驱动 A/...

  和特点 输入偏置电流:  2pA 最大值 (LT1462A) 20pA 最大值 (LT1462、LT1463) 每个放大器的电源电流:45μA (最大值) 对于高达 10nF 的 C-Load™ 可实现稳定的单位增益 输入共模范围包括正电源轨 提供了采用 ±5V 和 ±15V 电源时的保证规格 增益带宽乘积:175kHz (典型值) 转换速率:0.13V/μs (典型值) 有保证的匹配规格指标 标准引出脚配置:SO-8、SO-14 封装 产品详情 LT®1462 (双通道) 和 LT1463 (四通道) 是首批可为高达 10nF 的容性负载提供微微安培输入偏置电流 (典型值为 1pA) 和单位增益稳定性的微功率运放 (每个放大器的最大电源电流为 45μA)。输出能够将一个 10k 负载摆动至任一个电源的 1.5V 之内,就像那些所需电源电流高出一个数量级的运放一样。这种独特的性能组合使 LT1462 / LT1463 非常适合于很宽的输入和输出阻抗范围。在 LT1462 / LT1463 的设计和测试中,重点特别放在了优化低成本 SO-8 封装 (双通道) 和 14 引脚 SO 封装 (四通道) 中的性能上 (针对 ±15V 和 ±5V 电源)。输入共模范围包括正电源轨。转换速率 (0.08V/μs 最小值) 和增益带宽乘积 (125kHz 最小值) 经过了 100% 的全面测试。另...

  和特点 输入过压保护,高于或低于供电轨32 V 输入电压最高可以超出电源电压±32 V而不会反相 轨到轨输入和输出摆幅 低功耗:每个放大器60 µA(典型值) 单位增益带宽:800 kHz(典型值,Vsy = ±15 V)550 kHz(典型值,Vsy = ±5 V)475 kHz(典型值,Vsy = ±1.5 V) 单电源供电:3 V至30 V 低失调电压:300 μV(最大值) 高开环增益:120 dB(典型值) 单位增益稳定 通过汽车应用认证 产品详情 ADA4096-2双通道和ADA4096-4四通道运算放大器具有微功耗特性和轨到轨输入/输出范围。这些放大器的电源要求极低,保证工作电压范围为3 V至30 V,因而非常适合监控电池使用情况和控制电池充电。良好的动态性能,包括27 nV/√Hz电压噪声密度,则适合电池供电音频应用。这些器件可以处理最高200 pF的容性负载而不会发生振荡。ADA4096-2和ADA4096-4拥有过压保护输入和二极管,允许输入电压高于或低于供电轨32 V,非常适合鲁棒的工业应用。ADA4096-2和ADA4096-4都具有独特的输入级,输入电压可以安全地超过任一电源电压,而不会发生反相或闩锁;这称为过压保护或OVP。 双通道ADA4096-2提供8引脚LFCSP (2 mm × 2 mm...

  和特点 快速压摆率:22 V/μs(典型值) 0.01%建立时间:1.2 μs(最大值) 失调电压:200 μV(典型值) 高开环增益:1,000 V/mV(最小值) 低总谐波失线%(典型值) 产品详情 OP249是一款高速、精密、双通道JFET运算放大器,与常用的单通道运算放大器相似。它具有卓越的速度优势和出色的直流性能,优于现有双通道放大器。超高开环增益(最小值为1 kV/mV)、低失调电压和出色的增益线性度,使该器件成为业界首款真正的精密、双通道高速放大器。压摆率典型值为22 V/μs,0.01%快速建立时间最大值不到1.2 μs,因而OP249是高速双极性DAC和ADC应用的理想选择。出色的直流性能则有助于高分辨率CMOS DAC实现最高精度。即使驱动较大负载(例如600 Ω电阻或200 pF电容)时,也具有对称压摆率,同时提供超低失真特性,因而非常适合专业音频应用、有源滤波器、高速积分器、伺服系统以及缓冲放大器。应用快速DAC的输出放大器 信号处理 仪表放大器 快速采样保持有源滤波器低失真音频放大器 ADC的输入缓冲器 伺服控制器 数据手册, Rev. G, 04/2010 方框图...

  和特点 可通过引脚将该器件配置成差分放大器、反相放大器和同相放大器 差分放大器   增益范围:9 至 117 CMRR 80dB 同相放大器 增益范围:0.008 至 118 反相放大器   增益范围:–0.08 至 –117 增益误差 0.05% 增益漂移: 3ppm/°C 宽电源电压范围:单 2.7V 至分离型 ±18V 微功率操作:100µA 电源电流 输入失调电压:50µV (最大值) 增益带宽乘积:560kHz 轨至轨输出 节省空间的 10 引脚 MSOP 封装和 DFN 封装 产品详情 LT®1996 将一个精准型运算放大器和 8 个精准电阻器集成为一个单芯片解决方案,以实现电压的准确放大。可在未采用任何外部组件的情况下获得数值为 –117 至 118 的增益和一个 0.05% 的增益准确度。该器件尤其适合用作一个差动放大器,此时,其卓越的电阻器匹配性能将实现一个大于 80dB 的共模抑制比。该放大器具有一个 50µV 的最大输入失调电压和一个 560kHz 的增益带宽乘积。该器件可依靠介于 2.7V 至 36V 之间的任何电源电压工作,当采用一个 5V 电源时,其仅吸收 100µA 的电源电流。输出摆幅在任一个电源轨的 40mV 之内。内部电阻器具有卓越的匹配特性;其匹配偏差在整个工作温度范围内为 ...

  和特点 0.75°C 初始准确度 (A 版本) 极低的预热漂移 针对 E、J、K、R、S、T 型热电偶的预设输出 单 5V 至 ±20V 工作电源 480µA 典型电源电流 采用 8 引脚 DIP 封装 产品详情 LTK001 是一款与一个匹配冷结点补偿器一起提供的热电偶放大器。通过分离放大器和补偿器功能,几乎消除了补偿器温升的问题。该补偿器是 LT®1025 冷结点补偿器的一款精选版本。也可以作为 LTKA0x 单独购买的放大器是专门针对热电偶应用特别选择的。它具有低电源电流以最大限度减小温度漂移、非常低的失调电压 (35μV)、高增益、和极低的输入偏置电流 (600pA) 以允许使用高阻抗输入滤波器而不降低失调电压或漂移性能指标。该配套器件的匹配是通过按照补偿器和放大器初始 (室温) 误差的极性将其分离来完成的。这免除了对两个组件的误差进行求和运算以确定最坏情况误差的需要。The LTK001 具有60.9µV/°C (E)、51.7µV/°C (J)、40.6µV/°C (K、T) 和 5.95µV/°C (R、S) 的直接热电偶输出。另外,该器件还有一个可通过调节以匹配任意热电偶的 10mV/°C 输出。对于采用一个补偿器的多种热电偶应用,放大器可以单独订购 (LTKA0x),仍然...

  和特点 低电源电流:200μA无需外部组件最大失调电压:10μV最大失调电压漂移:0.1μV/°C单电源操作:4.75V 至 16V输入共模范围包括地电位输出摆动至地电位典型过载恢复时间:6ms采用 8 引脚 SO 封装和 PDIP 封装 产品详情 LTC®1049 是一款高性能、低功率零漂移运算放大器。其他斩波器稳定型放大器通常在外部需要的两个采样及保持电容器实现了片内集成。而且,LTC1049 还提供优越的 DC 和 AC 性能,标称电源电流仅为 200μA。LTC1049 具有 2μV 的典型失调电压、0.02μV/°C 的漂移、3μVP-P 的 0.1Hz 至 10Hz 输入噪声电压、和 160dB 的典型电压增益。转换速率为 0.8V/μs,增益带宽乘积为 0.8MHz。从饱和状态的过载恢复时间为 6ms,比采用外部电容器的斩波放大器有了显著的改善。LTC1049 采用标准的 8 引脚塑料双列直插式封装以及 8 引脚 SO 封装。LTC1049 可以作为大多数标准运放的插入式替代产品,其拥有改善的 DC 性能和实质性的节能效果。应用4mA 至 20mA 电流环路热电偶放大器电子衡器医疗仪表应变仪放大器高分辨率数据采集 方框图...

  和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +28 dBm 消除频段切换 出色的增益平坦度 调节电源和偏置序列 密封模块 可现场更换的SMA连接器 工作温度范围为0至+85℃ 产品详情 HMC-C037是一款集成可更换SMA连接器的GaAs MMIC PHEMT功率放大器,采用台式微型密封模块封装,在0.01 GHz至15 GHz的频率下工作。 该放大器提供12 dB的增益和高达+37 dB的输出IP3,并在1 dB增益压缩点提供高达+28 dBm的输出功率。 HMC-C037在2 - 12 GHz范围内具有±0.3 dB的出色增益平坦度,非常适合通用实验室仪器应用。 宽带放大器I/O内部匹配50 Ω,并经过隔直。 集成稳压器实现了负电源和正电源引脚的灵活偏置,同时内部偏置序列电路可确保稳定的运行。 应用 实验室仪表 测试设备 方框图...

  和特点 固定增益:24.1 dB 在30 MHz至6 GHz范围内提供宽带操作 输入/输出内部匹配50 Ω 集成偏置控制电路 OIP3:36.4 dBm (900 MHz) P1dB:18.1 dBm (900 MHz) 噪声系数:2.9 dB (900 MHz) 5V单电源供电 低静态电流:56 mA 宽工作温度范围:-40℃至+105℃ 高效散热型SOT-89封装 ESD额定值:±1.5 kV(1C类) 产品详情 ADL5545是一款单端RF/IF增益模块放大器,可在30 MHz至6 GHz范围内提供宽带操作。采用5 V电源供电时,ADL5545功耗仅为56 mA,OIP3超过36dBm。ADL5545具有24 dB增益,增益不随频率、温度、电源、器件而变化。该放大器采用工业标准SOT-89封装,在输入和输出内部匹配50 Ω,能够简单地使用于各种不同的应用中。所需的外部元件只有输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和直流偏置电感。ADL5545采用InGaP HBT工艺制造而成,ESD额定值为±1.5 kV(1C类)。额定温度范围为−40℃至+105℃的宽温度范围,并提供配置齐全且符合RoHS标准的评估板。 方框图...

  和特点 800MHz –3dB 带宽 2V/V (6dB) 的固定增益 低失线VP-P) 51dBm OIP3,–94dBc (10MHz,2VP-P) 低噪声:12.3dB 噪声指数 (NF),en = 3.8nV/√Hz (70MHz) 差分输入和输出 额外的滤波输出 可调的输出共模电压 DC 或 AC 耦合操作 所需的支持电路极少 仅高 0.75mm 的小外形 16 引脚 3 x 3 QFN 封装 产品详情 LT®1993-2 是一款低失真、低噪声差分放大器 / ADC 驱动器,适用于从DC 至 800MHz 的应用。LT1993-2 专为简单易用而设计,所需的支持电路极少。异常低的输入参考噪声和低失真分量 (采用单端或差分输入) 使得 LT1993-2 成为一款适合驱动高速 12 位和 14 位 ADC 的卓越解决方案。除了正常的未滤波输出 (+OUT 和 –OUT) 之外,LT1993-2 还具有一个内置的 175MHz 差分低通滤波器和一对额外的滤波输出 (+OUTFILTERED、–OUTFILTERED),以减少驱动高速 ADC 时所需采用的外部滤波组件。输出共模电压可容易地通过 VOCM 引脚设定,因而能在许多应用中免除输出变压器或 AC 耦合电容器。 LT1993-2 专为满足通信收发器应用的...

  和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...

  和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...

  和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...

  和特点 差分或单端增益部件宽电源范围:3V至 12.6V轨至轨输出摆幅输入共模范围包括地电位600V/μs 转换速率-3dB 带宽 = 75MHz,AV = ±210MHz 频率下的 CMRR:60dB规格在 3.3V、5V 和 ±5V 电源高输出驱动:±70mA电源关断模式的电流消耗降至 300μA工作温度范围:-40ºC 至 85ºC采用 8 引脚 SO 封装和纤巧型 3mm x 3mm x 0.8mm DFN 封装 产品详情 LT®6552 是一款专为低电压单电源操作而优化的视频差动放大器。这款通用型放大器具有独立的高输入阻抗正 (+) 和负 (-) 输入,可在差分或单端配置中使用。第二组输入为差分放大器提供了增益调节和 DC 控制功能。当采用单 3.3V 电源时,输入电压范围从地电位延伸至 1.3V,而输出摆幅则从地电位至 2.9V (在驱动一个 150Ω 负载的情况下)。LT6552 具有 75MHz — 3dB 带宽、600V/μs 转换速率和 ±70mA 输出电流,因而使其非常适合于直接驱动电缆。LT6552 的性能在 3V 至 12.6V 的电源范围内得以保持,并全面规格在 3.3V、5V 和 ±5V 电源。停机功能可将功率耗散降低至 1mW 以下,并允许多个放大器驱动同一根电缆。LT6552 采用 8 引脚 SO 封装和纤巧型双列细间距无引...

  和特点 单电源供电:3 V至30 V 极低输入偏置电流:2 pA 宽输入电压范围 轨到轨输出摆幅 低电源电流:每个放大器 500 µA 宽带宽:2 MHz 压摆率: 2 V/µs 无反相 产品详情 AD824是一款四通道、FET输入、单电源放大器,提供轨到轨输出。FET输入与轨到轨输出相结合,使得该器件适合低输入电流为主要考虑因素的各种低压应用。AD824采用3 V单电源或最高±15 V双电源供电。该器件采用ADI的互补双极性工艺制造,具有独特的输入级,输入电压可以安全地扩展至负电源电压以下和正电源电压,而不会发生反相或闩锁。输出电压摆幅在电源电压的15 mV范围内。可以处理最高350 pF的容性负载而不会发生振荡。FET输入与激光调整相结合,使得输入偏置电流极低,保证失调电压低于300 µV。因此,即使源阻抗较高,也能实现高精度设计。AD824的高精度以及低噪声特性,使之非常适合用于电池供电的医疗设备。AD824的应用范围包括便携式医疗设备、光电二极管前置放大器和高阻抗传感器放大器。利用轨到轨输出摆幅,设计人员可以在单电源系统中构建多级滤波器,并保持高信噪比。利用轨到轨输出摆幅,设计人员可以在单电源系统中构建多级滤波器,并保持高信噪比。应...

  和特点 单电源供电:4.5 V至30V 双电源供电:±2.5 V至±15 V 低失调电压:4 μV(最大值) 输入失调电压漂移:0.05 μV/°C(最大值) 高增益:130 dB(最小值) 高电源抑制比(PSRR):120 dB(最小值) 高共模抑制比(CMRR):130 dB(最小值) 输入共模范围包括较低的电源轨 轨到轨输出 低电源电流:0.95 mA(最大值) 产品详情 ADA4638-1是一款具有轨到轨输出摆幅的高电压、高精度零漂移放大器,保证可采用4.5 V至30 V单电源或者±2.25 V至±15 V双电源供电。采用±5 V电源时,功耗不到0.95 mA。ADA4638-1的失调电压为4 μV,失调漂移不到0.05 μV/°C,无1/f噪声,输入电压噪声仅为1.2 μVp-p(0.1 Hz至10 Hz),适合不容许存在大误差源的高精度应用。这款器件在宽工作温度范围内的漂移接近零,对压力传感器、医疗设备以及应变计放大器应用极为有利。许多应用都可以利用ADA4638-1提供的轨到轨输出摆幅来使信噪比(SNR)达到最大。ADA4638-1的额定温度范围为-40°至+125°C扩展工业温度范围,提供8引脚LFCSP (3x3mm)和SOIC封装。应用- 电子秤- 压力和位置传感器- 应变计放大器- 医疗仪器- 热电偶放大器 方框图...

  和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...

  和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...

  和特点 1.0 dB LSB步进至31 dB 每位单正控制线 dB(典型值) 输入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模块 可现场更换的K型连接器 工作温度: -55℃至+85℃ 产品详情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器,封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3,位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高,典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换,用于选择每个衰减状态。 可移除的K型连接器可以拆卸,以便将模块的输入/输出引脚直接连接到微带或共面电路。应用 光纤和宽带电信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM) 空间系统 测试仪器仪表 方框图...

  和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...

  和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...

  和特点 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模拟RF和IF增益控制 集成频率合成器 集成镜像抑制滤波器 部分外置的环路滤波器 支持外部LO 片内温度传感器 支持256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模拟I/Q基带接口 三线式串行数字接口 符合RoHS标准的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产品详情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器在250、500或540 MHz步长下进行调谐,具有出色的相位噪声,支持高达64-QAM的调制。或者,可以注入外部LO,它支持用户可选LO特性或相位相干发射和接收操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模拟基带IQ接口提供对各种调制格式的支持。发射器芯片还支持专用FSK、MSK、OOK调制格式,从而实现更低成本和功耗的串行数据链路,而无需使用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载提供高达15 dBm的线性输出功率。同时支持单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46一起,完整的60 G...

  和特点 无滤波、数字D类放大器 PDM数字输入接口 2.5W 至4Ω 以及1.4W至8Ω(电源电压5V、1% THD+N) 采用9凸块、1.5x1.5mm、0.5mm间距WLCSP封装 满量程时驱动至8Ω效率为92% 信噪比为98dB(加权典型值) 1kHz时,THD 为0.035%、输出功率为100mW 217Hz时PSRR为85dB、输入基准为扰动输入 10.4mW静态功耗、1.8V VDD和3.6V PVDD、8Ω+ 33uH负载 爆音与咔嚓声抑制 可配置为PDM式输入 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 SSM2517是一款PDM数字输入D级功率放大器。比现有的DAC加D级解决方案的性能更加出色。该器件是功率敏感应用的理想选择。在功率敏感应用中系统噪声能够破坏发送至放大器的小模拟信号,例如移动电话和便携式多媒体播放器。DAC加模拟Σ-Δ架构处理数字音频源时实际功耗极低,同时又具备出色的音频性能。通过采用SSM2517,音频能够以数字的方式发送至音频放大器从而有效地降低了噪声源的影响,例如GSM干扰或发送音频上的其他数字信号。采用5.0 V电源供电时,它能够提供2.5 W连续输出功率,驱动4 Ω负载,总谐波失真加噪声(THD + N)小于1%。SSM2517采用高效率、低噪声调制方案,无需...

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